主讲人：陈效双   中科院上海技术物理研究所研究员 

时间：2016年12月7日13:00

地点：会议中心3、4号会议室  

举办单位：数理学院

主讲人简介：

近年来主要从事半导体红外光电子材料、器件和光子人工带隙微结构的光子性质研究，围绕国际上学科发展的前沿和国家重大需求开展工作，解决了红外光电子半导体物理和器件中一些复杂的问题，在国际SCI刊物发表论文100多篇，论文被SCI刊物他人引用300多次，授权和申请发明专利6项。荣获国家杰出青年，上海市自然科学牡丹奖，上海市自然科学一等奖1项（第二）和其它省部级科技进步奖3项。荣获新世纪百千万人才工程国家级人选，享受国务院政府特殊津贴。 

内容简介：

第三代红外焦平面器件的发展特点，对材料的面积、性能、掺杂技术等参数的要求迅速提高。围绕Si基碲镉汞材料异质外延的机理和碲镉汞材料p型掺杂微观模型两大核心问题进行了研究。介绍Si基As钝化和选择性生长的机理，发现了As部分置换Si基衬底的钝化机理以及对CdTe外延A、B面极性的选择生长的控制。提出了碲镉汞材料As掺杂的激活微观模型，发现了As_Hg+VHg复合缺陷提供碲镉汞材料p掺杂的激活过程。提出了砷p型原位掺杂的优化工艺，获得质量较好的硅基外延的碲镉汞薄膜。揭示了碲镉汞探测器件n型高掺杂区域光响应“蓝移”的起源，提出了混合钝化技术实现了长波碲镉汞红外探测器暗电流两个数量级的下降。结果对实现智能型，高分辨，超大规模焦平面红外探测器的进一步发展有重要的指导意义。